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槽柵MOS器件優(yōu)勢(shì)是什么包括理論及實(shí)驗(yàn)動(dòng)研究

信息來(lái)源：本站　日期：2017-08-01　

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槽柵構(gòu)造有利于進(jìn)步電流控制才能，但是結(jié)電容大，不利于工作頻率的提高。將平而柵極構(gòu)造與雙擴(kuò)散有機(jī)分離起來(lái)，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，橫向雙擴(kuò)散MOSFET)（圖1.18）。

LDMOS的主要優(yōu)勢(shì)是結(jié)電容小、工作頻率高，合適于微波應(yīng)用。

微波功率放大器的封裝與常見(jiàn)的封裝不同（圖l.19），這是和微波功率放大相順應(yīng)的。微波功率放大應(yīng)用大都是漏極輸出、源極接地的電路（共源極電路），出于電路規(guī)劃的思索，TAB(本體散熱片)也需求和散熱器直接相連。LD-MOS的襯底（背電極）是源極而不是漏極，剛好能夠滿(mǎn)足這一需求，源極襯底可以直接和TAB相連（圖1.19），熱阻減小，有利于進(jìn)步功率耗散能才能。而垂直溝道的DMOS，襯底（背電極）是漏極，用于微波的垂直溝道MOS功率器件，通常是在TAB與襯底之間設(shè)置Be0(氧化鍍)隔離層，既增加了熱阻，又進(jìn)步了封裝本錢(qián)。