n溝道和p溝道增強(qiáng)型mos管的工作原理 場(chǎng)效應(yīng)mos管
信息來(lái)源：本站 日期：2017-07-17
絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的構(gòu)造表示圖如圖2-34所示。
N溝道加強(qiáng)型MOSFET的溝道構(gòu)成及符號(hào)如圖2-35所示，其中圖2-35 (a)所示是在一塊雜質(zhì)濃度較低的P型半導(dǎo)體襯底上制造兩個(gè)高濃度的N型區(qū)，并分別將它們作為源極s和漏極D，然后在襯底的外表制造一層Si02絕緣層，并在上面引出一個(gè)電極作為柵極G。圖2-35(b)所示是其在電路中的符號(hào)。
N溝道加強(qiáng)型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖2-36所示。
式中，UT為開(kāi)啟電壓（或閾值電壓）；μn為溝道電子運(yùn)動(dòng)的遷移率；Cox為巾位面積柵極電容；W為溝道寬度；疋為溝道長(zhǎng)度；W/L為MOSFET的寬長(zhǎng)比。在MOSFET集成電路設(shè)計(jì)中，寬長(zhǎng)比是一個(gè)極為重要的參數(shù)。
N溝道MOS管的輸出特性曲線如圖2-37所示。與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性相似，它也分為恒流區(qū)、叮變電阻區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。其特性如下所示。
①截止區(qū)：UGS≤UT，導(dǎo)電溝道未構(gòu)成，iD=0。
②恒流區(qū)：
·曲線距離平均，UGS對(duì)iP的控制才能強(qiáng)；
·UDS對(duì)iD的控制才能弱，曲線平整；
·進(jìn)入恒流區(qū)的條件，即預(yù)災(zāi)斷條件為UDS≥UCS-UT。
③可變電阻區(qū)：
可變電阻區(qū)的電流方程為
因而，可變電阻區(qū)的輸出電阻rDS為
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