KIA4N65參數

這是功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。器件主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。

KIA4N65特征

RDS(on) =2.5? @ VGS=10V

低柵極電荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力

產品型號：KIA4N65

工作方式：4A/650V

漏源電壓：650V

柵源電壓：±30V

漏電流連續：3.0A

脈沖漏極電流：12A

雪崩能量：210mJ

耗散功率：58W

熱電阻：110℃/W

漏源擊穿電壓：650V

溫度系數：0.65V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：560 PF

輸出電容：55 PF

上升時間：40 ns

封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F

	KIA4N65（4A 650V）
產品編號	KIA4N65/HF
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖
產品特征	RDS(on) =2.5? @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的16nc）高耐用性快速切換 100%雪崩測試改進的dv / dt的能力
適用范圍	器件主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。
封裝形式	TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接在線預覽】
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廠家	KIA原廠家
網址	www.sansepc.com
PDF總頁數	總6頁