24N50現貨供應商 KIA24N50 24A/500V KIA24N50 PDF文件-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-02-01
KIA10N65特征
RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V
低柵極電荷（典型的90nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA24N50
工作方式：24A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：24A
脈沖漏極電流：96A
雪崩能量：1150mJ
耗散功率：290W
熱電阻：40℃/W
漏源擊穿電壓：500V
溫度系數：0.5V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：3500 PF
輸出電容：520 PF
上升時間：35 ns
封裝形式：TO-3P
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KIA24N50（24A 500V） |
| 產品編號 | KIA24N50/HH |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻，提供優越的開關性能，以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖 |
| 產品特征 |
RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V 低柵極電荷（典型的90nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適合于高效率開關電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正 |
| 封裝形式 | TO-3P |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | www.sansepc.com |
| PDF總頁數 | 總5頁 |
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