6N65參數

KIA 6N65HDN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。

特點

RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v

低柵極電荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

產品型號：KIA6N65HD

工作方式：5.5A/650V

漏源電壓：650V

柵源電壓：±30V

漏電流連續：5.5*A

脈沖漏極電流：16.0A

雪崩能量：300mJ

耗散功率：80W

熱電阻：50*（110）℃/W

漏源擊穿電壓：650V

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：620 PF

輸出電容：65 PF

上升時間：45 ns

封裝形式：TO-252

	KIA6N65（5.5A/650V）
產品編號	KIA6N65/HD
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	KIA 6N65HDN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。
產品特征	RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型的16nc）高耐用性快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序
封裝形式	TO-252
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA 原廠家
網址	www.sansepc.com
PDF頁總數	總5頁