6N70原廠(chǎng)供應(yīng)商 KIA6N70 PDF下載 6N70參數(shù)配置對(duì)比-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源：本站 日期：2018-01-26
特征
RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測(cè)試
改進(jìn)的dt／dt能力
產(chǎn)品型號(hào)：KIA6N70
工作方式：5.8A/700V
漏源電壓：700V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：5.8*A
脈沖漏極電流：150mJ
雪崩能量：4.8A
耗散功率：95W
熱電阻：110℃/W
漏源擊穿電壓：700V
溫度系數(shù)：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：650 PF
輸出電容：95 PF
上升時(shí)間：40 ns
封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220F
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KIA6N70（5.8A 700V） |
| 產(chǎn)品編號(hào) | KIA6N70/HD/HF/HU/SU |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 |
功率MOSFET采用起亞的高級(jí)平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力，提供優(yōu)越的。開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型的16nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測(cè)試 改進(jìn)的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓?fù)洹?/strong> |
| 封裝形式 | TO-251、TO-252、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
| 網(wǎng)址 | www.sansepc.com |
| PDF總頁(yè)數(shù) | 總5頁(yè)數(shù) |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
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