20N50現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA20N50 PDF 20N50參數(shù)詳細(xì)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源：本站 日期：2018-01-19
KIA20n50h N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。
產(chǎn)品型號(hào)：KIA 20N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續(xù)）（lD）：20A
耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃
工作溫度：+150/℃
擊穿電壓溫度：0.5V/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz
上升時(shí)間：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω
封裝形式：TO-220F、TO-247、TO-3P
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v
Lowgate charge ( typical 70nC)
快速切換的能力
雪崩能量
改進(jìn)的dt／dt能力
 |
20N50（20A 500V） |
| 產(chǎn)品編號(hào) | KIA20N50/C/HF/HH/HM |
| 產(chǎn)品工藝 |
kia20n50h N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。 |
| 溝道 | N溝道MOSFET |
| 特征 |
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v Lowgate charge ( typical 70nC) 快速切換的能力 雪崩能量 改進(jìn)的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正 |
| 封裝形式 | TO-220F、TO-247、TO-3P |
| PDF文件 |
 【直接在線預(yù)覽】 |
| 廠家 | KIA 原廠家 |
| LOGO |
 |
| 網(wǎng)址 | www.sansepc.com |
| PDF總頁(yè)數(shù) | 總5頁(yè)數(shù) |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請(qǐng)搜微信號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長(zhǎng)按二維碼識(shí)別關(guān)注
相關(guān)搜索：
