13N50現(xiàn)貨供應商 KIA13N50 PDF 13N50參數(shù)詳細資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-01-19
產(chǎn)品編號：KIA13N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續(xù)）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
工作溫度：±150℃
擊穿電壓溫度：0.5/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升時間：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的45nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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13N50（13A 500V） |
| 產(chǎn)品編號 | KIA13N50/A/HB/HF/HP/UF/TH |
| 溝道 | MOSFET N溝道 |
| 封裝形式 | TO-220、TO220F、TO-263 |
| 產(chǎn)品工藝 |
13N50 N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型的45nc） 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器 |
| PDF文件 |
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| 廠家 | KIA 原廠家 |
| LOGO |
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| 網(wǎng)址 | www.sansepc.com |
| PDF總頁數(shù) | 總5頁數(shù) |
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