10n65場效應管參數引腳圖,650v10a,KNF10N65B現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-19
KNF10N65B場效應管漏源擊穿電壓650V，漏極電流10A，采用高級平面工藝制造，極低導通電阻RDS(開啟) 0.75Ω，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，開關速度快，降低開關損耗，提高效率；具有高輸入阻抗、低功耗、符合RoHS標準，快速恢復體二極管，性能穩定可靠；廣泛應用于適配器、充電器、SMPS待機電源等；封裝形式：TO-220F，散熱良好。
詳細參數：
漏源電壓：650V
漏極電流：10A
導通電阻：0.75Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：40A
單脈沖雪崩能量：800MJ
功率耗散：45W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：30nC
輸入電容：1600PF
輸出電容：14PF
反向傳輸電容：110PF
開通延遲時間：10nS
關斷延遲時間：35nS
上升時間：14ns
下降時間：15ns
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