4n65,4n65場效應管參數,??650v4a,KNF4N65F中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-17
KNF4N65F場效應管漏源擊穿電壓650V，漏極電流4A，采用先進平面工藝制造，極低導通電阻RDS(開啟) 2.4Ω，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，開關速度快，降低開關損耗，提高效率；具有高輸入阻抗、低功耗、符合RoHS標準，快速恢復體二極管，性能穩定可靠；無鉛設備，綠色環保；廣泛應用于適配器、充電器、SMPS待機電源等；封裝形式：TO-220F，散熱良好。
詳細參數：
漏源電壓：650V
漏極電流：4A
導通電阻：2.4Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：16A
單脈沖雪崩能量：70MJ
功率耗散：24W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：10nC
輸入電容：560PF
輸出電容：2.8PF
反向傳輸電容：40PF
開通延遲時間：14nS
關斷延遲時間：20nS
上升時間：15ns
下降時間：7ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
