50N08場效應管參數,電機驅動mos,?85v120a,KCT050N08N-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-12-10
KCT050N08N場效應管漏源擊穿電壓85V,漏極電流120A ,采用先進的MOS技術制造,極低導通電阻RDS(開啟) 4.6mΩ,卓越的QgxRDS(on)產品(FOM),減少開關損耗,提高效率;符合JEDEC標準,100%DVDS測試、100%雪崩測試,確保可靠性和穩定性,廣泛應用于電機控制和驅動、電池管理、不間斷電源(UPS)中;封裝形式:TOLL,體積小,散熱良好,適用于高功率密度場景。
詳細參數:
漏源電壓:85V
漏極電流:120A
導通電阻:4.6mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:480A
單脈沖雪崩能量:144MJ
功率耗散:174W
閾值電壓:3V
總柵極電荷:55nC
輸入電容:3086PF
輸出電容:1057PF
反向傳輸電容:26PF
開通延遲時間:20.1nS
關斷延遲時間:45.1nS
上升時間:38.9ns
下降時間:22.8ns
聯系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
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