電源適配器mos,1200v12a,KNM63120A場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-18
KNM63120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流12A，開關速度快，高效穩定；低導通電阻RDS(on) 1.2Ω，能夠最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷最小化開關損耗；具有快速恢復體二極管，防止反向電壓擊穿、提供續流保護、降低導通損耗，以及在高頻開關中提升效率；廣泛應用于適配器、斬波器、SMPS 待機電源等，能夠承受較大的耐壓和電流；封裝形式：TO-247，適合高功率應用場景。
詳細參數：
漏源極電壓：1200V
漏極電流：12A
導通電阻：1.2Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：48A
雪崩能量單脈沖：700MJ
功率耗散：380W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：80nC
輸入電容：3300PF
輸出電容：305PF
反向傳輸電容：48PF
開通延遲時間：16nS
關斷延遲時間：52nS
上升時間：10ns
下降時間：34ns
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