cmos在電路中容易形成集成化 它是有什么特點(diǎn) 是否會(huì)受到影響
信息來(lái)源：本站 日期：2017-09-05
容易集成化
TTL等雙極器件中，如圖10. 15所示，相鄰的晶體管之間需求隔離，而且要提高電流驅(qū)動(dòng)型器件的集成度，就很難抑止功率耗費(fèi)和發(fā)熱現(xiàn)象。
CMOS中，由于閂鎖現(xiàn)象／可控硅現(xiàn)象的緣由，需求思索設(shè)置恰當(dāng)?shù)膭e離寄生雙極晶體管的稱為防護(hù)帶（圖10. 16）的別離墻／過(guò)渡電流吸收帶。不過(guò)對(duì)集成度的影響不大。最近，還開發(fā)出不需求防護(hù)帶的制造技術(shù)。而且，由于CMOS的低功耗特性，在發(fā)熱問題上比雙極器件優(yōu)越，也有利于集成化。
把單位面積(mm2)上集成的晶體管數(shù)目叫做集成度。目前集成度超越了1000萬(wàn)個(gè)MOS晶體管的系統(tǒng)LSI曾經(jīng)在數(shù)字設(shè)備中采用。
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