500v功放管mos參數(shù)選型及MOS管原廠制造-mos功放優(yōu)缺點(diǎn)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-05-24
KIA半導(dǎo)體供應(yīng)500v功放管mos，先來看看功放管的分類：A類功放（又稱甲類功放） A類功放輸出級中兩個（或兩組）晶體管永遠(yuǎn)處于導(dǎo)電狀態(tài)，也就是說不管有無訊號輸入它們都保持傳導(dǎo)電流，并使這兩個電流等于交流電的峰值，這時交流在最大訊號情況下流入負(fù)載。當(dāng)無訊號時，兩個晶體管各流通等量的電流，因此在輸出中心點(diǎn)上沒有不平衡的電流或電壓，故無電流輸入揚(yáng)聲器。當(dāng)訊號趨向正極，線路上方的輸出晶體管容。
晶體管類型 PNP - Darlington
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 100V
電流 - 集電極 (Ic)（最大） 10A
功率 - 最大 125W
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) 1000 @ 5A, 4V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大） 2V @ 10mA, 5A
電流 - 集電極截止（最大） 2mA
下面是500v功放管mos的參數(shù)選型表：
|
Part Number |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KIA5N50H |
5 |
500 |
1.25 |
1.5 |
525 |
|
KIA840S |
8 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KIA4750S |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX4850A |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX6450A |
13 |
500 |
0.4 |
0.48 |
2149 |
|
KNX6650A |
15 |
500 |
0.33 |
0.45 |
2148 |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
0.25 |
0.32 |
2500 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.21 |
0.26 |
2700 |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.16 |
0.2 |
3500 |
|
KNX7650A |
25 |
500 |
0.17 |
0.21 |
4280 |
|
KNH8150A |
30 |
500 |
0.15 |
0.2 |
4150 |
500v功放管mos原廠供應(yīng)商介紹，KIA半導(dǎo)體主營半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富，是一家國產(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、超結(jié)場效應(yīng)管、碳化硅二極管、碳化硅場效應(yīng)管、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
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從設(shè)計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
1、MOS 管功放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡單等優(yōu)點(diǎn)。以運(yùn)放的輸出作為OCL 的輸入，到達(dá)抑止零點(diǎn)漂移的效果。
2、中音厚，沒有三極管那么大的交越失真。
電流推進(jìn)級通常由一至二級組成，為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數(shù)，常采用二級電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級產(chǎn)生開關(guān)失真，較好的作法是、采用MOS管并增大本級的靜態(tài)電流，這樣本級不會產(chǎn)生開關(guān)失真，由于任何狀況下電流推進(jìn)級一直處于放大區(qū)，所以電流輸出級也一直處于放大區(qū)，因而輸出級同樣不會產(chǎn)生開關(guān)失真和交越失真。
3、MOS管的線性比晶體管好。
1、低頻的溫和度比晶體管功放差，MOSFET開關(guān)場效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞,MOSFET場效應(yīng)晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點(diǎn)。但運(yùn)用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的牢靠性不高（無法外電路維護(hù)），開關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初，MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破，呈現(xiàn)了一種高速M(fèi)OSFET大功率開關(guān)場效應(yīng)晶體管。
西班牙藝格公司（ECLER）經(jīng)多年研討，攻克了非毀壞性維護(hù)系統(tǒng)的SPM專利技術(shù)，推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點(diǎn)分離的第3代功放產(chǎn)品，在歐洲市場上取得了認(rèn)可，并逐漸在世界上得到了應(yīng)用。第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放，但低頻的溫和度比晶體管功放差一些，此外MOSFET開關(guān)場效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞。
2、開啟電壓太高。
3、偏流開很大，還是有一定的交越失真,沒交越失真，差不多能夠趕上三極管的甲類輸出功耗。
4、MOS管不好配對在同一批次管，相對來說要好配對一點(diǎn)。
5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽出所謂電子管音色有一個簡單方法，把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET，JFET才真正具有電子管音色。
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