自舉電路 作用：在高端和低端MOS管中提到過，由于負(fù)載（電機(jī)）相對(duì)于高端和低...自舉電路 作用：在高端和低端MOS管中提到過，由于負(fù)載（電機(jī)）相對(duì)于高端和低端的位置不同，而MOS的開啟條件為Vgs>Vth，這便會(huì)導(dǎo)致想要高端MOS導(dǎo)通，則其柵極對(duì)地...
用半橋/全橋驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管搭建合適的H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)對(duì)大電流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)...用半橋/全橋驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管搭建合適的H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)對(duì)大電流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。該電機(jī)驅(qū)動(dòng)板有兩個(gè)H橋電路，可以同時(shí)控制雙路電機(jī)。可通過相應(yīng)的控制信號(hào)來控...
Vov：過驅(qū)動(dòng)電壓overdrive voltage，Vov=Vgs-Vth，過驅(qū)動(dòng)電壓也用Vod表示 Vds...Vov：過驅(qū)動(dòng)電壓overdrive voltage，Vov=Vgs-Vth，過驅(qū)動(dòng)電壓也用Vod表示 Vdsat:飽和漏源電壓或夾斷時(shí)漏源電壓（剛出現(xiàn)夾斷）saturation drain voltage
MOS管2810 參數(shù)100V150A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度電池設(shè)計(jì) ...MOS管2810 參數(shù)100V150A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度電池設(shè)計(jì) 超低導(dǎo)通電阻 雪崩測(cè)試100% 提供無鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS）
功率管開關(guān)管箝位電路原理如圖1所示，當(dāng)開關(guān)管Q開通時(shí),電容Cs兩端壓降為晶體管...功率管開關(guān)管箝位電路原理如圖1所示，當(dāng)開關(guān)管Q開通時(shí),電容Cs兩端壓降為晶體管飽和壓降,接近于零。開關(guān)管關(guān)斷時(shí),二極管將電阻Rs短路為電感電流iL提供放電通道，電...
高邊（HS）MOSFET則通過RG_EXT連接?xùn)艠O引腳和源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并且僅...高邊（HS）MOSFET則通過RG_EXT連接?xùn)艠O引腳和源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并且僅用于體二極管的換流工作。在電路圖中，實(shí)線是連接到源極引腳的示意圖，虛線是連接到...
