為了評估MOSFET的反向恢復特性，我們使用4種MOSFET實施了雙脈沖測試。4種MOSFE...為了評估MOSFET的反向恢復特性，我們使用4種MOSFET實施了雙脈沖測試。4種MOSFET均為超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復型和普通型分別進行...
N溝道mos管 KIA2302 3A20V特性 VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0...N溝道mos管 KIA2302 3A20V特性 VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0A VDS =20V,RDS(on) =0.090Ω@VGS =2.5V,ID =2.0A
在28nm以下，由于最大器件長度限制，模擬設計人員經常要對多個短長度的MOSFET串...在28nm以下，由于最大器件長度限制，模擬設計人員經常要對多個短長度的MOSFET串聯來創建長溝道的器件。這些串聯連接的器件通常被稱為堆疊MOSFET或堆疊器件。
輸入失調電壓Vos(Voltage - Input Offset)，指的是為使運算放大器輸出端為0V所...輸入失調電壓Vos(Voltage - Input Offset)，指的是為使運算放大器輸出端為0V所需加于兩輸入端間之補償電壓。理想之運算放大器其Vos應該為0V。
功率MOSFET發生寄生導通（不希望發生的事件）的機率比我們的預計更高，造成的損...功率MOSFET發生寄生導通（不希望發生的事件）的機率比我們的預計更高，造成的損失也更大。寄生導通通常會損壞MOSFET，且之后很難查出故障的根源。寄生導通機制取決...
在此，R1和C1對晶體管Q4構成一個適度的濾波器。Q5發射極上的3.3V電壓將對Q4的基...在此，R1和C1對晶體管Q4構成一個適度的濾波器。Q5發射極上的3.3V電壓將對Q4的基極發射極結產生反向偏置，并使電流通過R11流向Q4的基極。流經Q4的電流驅動Q3和Q2，...
