KIA原廠家 KIA23P10A P溝道 -23A /-100V PDF文件下載-KIA官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-03-12
KIA23P10A采用先進的溝槽MOSFET技術(shù)，提供優(yōu)良的R DS（上）和門在各種其他應(yīng)用中使用的電荷。的kia23p10a符合ROHS和格林100% EAS產(chǎn)品的要求，保證全功能可靠性的批準
RDS（ON）= 78m?（典型值）@ V GS = 10v
100% EAS保障
綠色的可用設(shè)備
超低柵電荷
優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減
先進的高密度溝槽技術(shù)
產(chǎn)品型號：KIA23P10A
工作方式：-23A/-100V
漏源電壓：-100V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：-23A
脈沖漏極電流：-75A
雪崩電流：18.9A
雪崩能量：157.2mJ
耗散功率：96W
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：-100V
溫度系數(shù)：-0.022V/℃
柵極閾值電壓：-1.2V
輸入電容：3029PF
輸出電容：129PF
上升時間：53.6ns
封裝形式：TO-252
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KIA23P10A |
| 產(chǎn)品編號 | KIA23P10A -23A/-100V |
| 適用范圍 |
主要用于在無線的其他應(yīng)用程序的各種柵極電荷。kia23p10a符合ROHS環(huán)保和綠色產(chǎn)品的要求，保證100% EAS全功能可靠性的批準。 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS（ON）= 78m?（典型值）@ V GS = 10v 100% EAS保障 綠色的可用設(shè)備 超低柵電荷 優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減 先進的高密度溝槽技術(shù) |
| 封裝形式 | TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.sansepc.com |
| PDF總頁數(shù) | 總4頁 |
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