KIA8606參數指標

8606高細胞密度的N溝道MOSFET溝道與提供優良的導通電阻和大多數同步降壓轉換器應用的柵電荷。kia8606符合ROHS和綠色產品要求，100%個功能齊全的可靠性認證。

KIA8606特征

超低柵電荷

100% EAS保證

優良的CDV / dt效應DES線

綠色的可用設備

先進的高密度溝槽技術

KIA8606參數

產品型號：KIA8606

工作方式：35A/60V

漏源電壓：60V

柵源電壓：±20V

漏電流連續：35A

脈沖漏極電流：80A

雪崩電流：28A

雪崩能量：39.2A

耗散功率：45W

熱電阻：62℃/W

漏源擊穿電壓：60V

溫度系數：0.057V

柵極閾值電壓：1.2V

輸入電容：2423 PF

輸出電容：145 PF

上升時間：50ns

封裝形式：TO-251

	KIA8606
產品編號	KIA8606（35A 60V）
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	8606高細胞密度的N溝道MOSFET溝道與提供優良的導通電阻和大多數同步降壓轉換器應用的柵電荷。kia8606符合ROHS和綠色產品要求，100%個功能齊全的可靠性認證。
產品特征	超低柵電荷 100% EAS保證優良的CDV / dt效應DES線綠色的可用設備先進的高密度溝槽技術
封裝形式	TO-251
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA原廠家
網址	www.sansepc.com
PDF總頁數	總5頁