KIA7N65參數

功率MOSFET是用起亞半先進的平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻，提供優越性。開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正/基于半橋拓撲。

KIA7N65特征

RDS(on) =1.2@? VGS=10V

低柵極電荷（典型的29nc）

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt／dt能力

產品型號：KIA7N65

工作方式：7A/650V

漏源電壓：650V

柵源電壓：±30V

漏電流連續：7.0A

脈沖漏極電流：28A

雪崩能量：230mJ

耗散功率：147W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：650V

溫度系數：0.7V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：1000 PF

輸出電容：110 PF

上升時間：50 ns

封裝形式：TO-220、TO-220F、TO-263

	KIA7N65（7A/650V）
產品編號	KIA7N65/HB/HF
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	功率MOSFET是用起亞半先進的平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻，提供優越性。開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正/基于半橋拓撲。
產品特征	RDS(on) =1.2@? VGS=10V 低柵極電荷（典型的29nc）高耐用性快速切換 100%雪崩測試改進的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正/基于半橋拓撲。
封裝形式	TO-220、TO-220F、TO-263
PDF文件	【直接在線預覽】
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廠家	KIA原廠家
網址	www.sansepc.com
PDF總頁數	總5頁