KIA6N70參數(shù)

功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓撲。

特征

RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v

低柵極電荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt／dt能力

產品型號：KIA6N70

工作方式：5.8A/700V

漏源電壓：700V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：5.8*A

脈沖漏極電流：150mJ

雪崩能量：4.8A

耗散功率：95W

熱電阻：110℃/W

漏源擊穿電壓：700V

溫度系數(shù)：0.7V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：650 PF

輸出電容：95 PF

上升時間：40 ns

封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220F

	KIA6N70（5.8A 700V）
產品編號	KIA6N70/HD/HF/HU/SU
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。
產品特征	RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型的16nc）高耐用性快速切換 100%雪崩測試改進的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓撲。
封裝形式	TO-251、TO-252、TO-220F
PDF文件	【直接在線預覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.sansepc.com
PDF總頁數(shù)	總5頁數(shù)