4N65H參數概述

這是功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對的阻力，提供優越的。

開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正、基于半橋拓撲。

特征：

RDS(on) =2.5?@ VGS=10V

低柵極電荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt／dt能力

參數：

產品型號：KIA4N65H

極性：N溝道MOSFET

漏源電壓(vdss):650V

柵源電壓（vgss)：±30V

連續漏電流：（ld）：3.0A

脈沖漏極電流：12A

雪崩電流：210mJ

雪崩能量：5.8mJ

耗散功率（pd）：58W

熱電阻：110℃/W

漏源擊穿電壓：650V

溫度系數：0.65V/℃

柵極閾值電壓（min）：100nA

	4N65H（4A 650V）
產品編號	KIA4N65/H/HD/HF/HU
FET極性	N溝道
產品工藝	功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對的阻力，提供優越的。
產品特征	RDS(on) =2.5??@ V GS =10V 低柵極電荷（典型的16nc）高耐用性快速切換 100%雪崩測試改進的dt／dt能力
適用范圍	開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正、基于半橋拓撲。
封裝形式	TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA原廠家
網址	www.sansepc.com
PDF總頁數	總5頁數