28n50場效應管,500v28a,to-220f,KIA28N50HF參數-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-12-03
28n50場效應管漏源擊穿電壓500V,漏極電流28A,極低導通電阻RDS(開啟) 0.16Ω,最大限度地減少導電損耗,低柵極電荷、低交叉,開關速度快,高效低耗;100% 雪崩失效率、提高dv/dt能力、符合RoHS標準,穩定可靠;具有良好的開關特性,能夠承受較大的耐壓和電流,廣泛應用于車載逆變器、LED電源、手機充電器、備用電源等,封裝形式:TO-220F,適合大功率應用。
詳細參數:
漏源電壓:500V
漏極電流:28A
導通電阻:0.16Ω
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:80A
雪崩能量單脈沖:1110MJ
總功耗:50W
閾值電壓:2-4V
總柵極電荷:45nC
輸入電容:2555PF
輸出電容:355PF
反向傳輸電容:29PF
開通延遲時間:46nS
關斷延遲時間:105nS
上升時間:118ns
下降時間:62ns
聯系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持
免責聲明:網站部分圖文來源其它出處,如有侵權請聯系刪除。
