80v130a mos,?2908場效應管參數,to263封裝,KNB2908D-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-02
KNB2908D場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，采用專有的新型技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，開關速度快，減少開關損耗，提高效率；具有卓越的電氣參數，高雪崩電流，能夠承受高功率負載，穩定可靠；無鉛設備，綠色環保；廣泛應用于電源切換應用程序、硬開關和高頻電路、不間斷電源等；封裝形式：TO-252，散熱良好。
詳細參數：
漏源電壓：80V
漏極電流：130A
導通電阻：4.8mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：500A
單脈沖雪崩能量：900MJ
功率耗散：246W
閾值電壓：3.0V
總柵極電荷：110nC
輸入電容：4500PF
輸出電容：640PF
反向傳輸電容：230PF
開通延遲時間：25nS
關斷延遲時間：40nS
上升時間：16ns
下降時間：52ns
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