保護板mos,30v90a場效應管,?KNY3303B參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-26
KNY3303B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，采用KIA先進的溝槽技術，特別針對減少導通損耗、提供卓越的開關性能以及在雪崩和換向模式下承受高能脈沖進行了優化；低導通電阻RDS(開啟) 2.6mΩ，最大限度地減少導電損耗，具有低交叉頻率、開關速度快，高效低耗以及100% 雪崩測試、改進的dv/dt能力，穩定可靠；廣泛應用于PWM應用、負載開關、電源管理等；封裝形式：DFN5*6，體積小，散熱出色。
詳細參數：
漏源極電壓：30V
漏極電流：90A
導通電阻：2.6mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：360A
雪崩能量單脈沖：342MJ
最大功耗：68W
閾值電壓：1.5V
總柵極電荷：70nC
輸入電容：4002PF
輸出電容：438PF
反向傳輸電容：395PF
開通延遲時間：15nS
關斷延遲時間：42nS
上升時間：19ns
下降時間：11ns
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