同步整流,逆變器MOS管,KCX3406A場效應管參數,原廠現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-23
KCX3406A是N溝道增強型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技術生產。漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，RDS（開啟）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低柵電荷、低反饋電容、開關速度快、改進的dvdt功能，穩定可靠；改進的工藝和電池結構經過特別定制，以最大限度地降低導通電阻，提供卓越的開關性能，廣泛應用于同步整流器、逆變器系統的電源管理，封裝形式：DFN5*6、TO-252。
漏源電壓：60V
漏極電流：80A
漏源通態電阻(RDS(on))：8.5mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：240A
雪崩能量單脈沖：81MJ
總功耗：63W
總柵極電荷：16.8nC
輸入電容：1065PF
輸出電容：430PF
開通延遲時間：8nS
關斷延遲時間：19nS
上升時間：54ns
下降時間：8.8ns
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