?3414參數(shù),3414場效應(yīng)管參數(shù),3414場效應(yīng)管代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-09
KIA3414采用先進的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓20V，漏極電流4.2A，提供出色的RDS（on），低柵極電荷門極電壓低至1.8V。該裝置適用于負載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA3414無鉛（符合ROHS和Sony 259規(guī)范），是一款高性能的綠色產(chǎn)品。3414場效應(yīng)管具有出色的封裝，封裝形式：SOT-23，散熱效果良好，使用安裝方便。
VDS (V)=20V
ID=4.2A
RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A)
RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)
漏源電壓：20V
柵源電壓：±12A
漏電流連續(xù)：4.2A
脈沖漏極電流：15A
耗散功率：1.4W
熱電阻：70℃/W
漏源擊穿電壓：20V
柵極閾值電壓：-0.4V
輸入電容：436PF
輸出電容：66PF
上升時間：6.3ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
