MOS管350V KIA6035A N溝道MOS管規(guī)格書 封裝 免費送樣-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-12-17
這款功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術制作的。這個先進的技術是為電阻最小轉態(tài)而特別定制的，提供優(yōu)越的開關性能，它能承受雪崩和交流模式下的高能脈沖。這款設備非常適合于高效率的開關電源，有源功率因數校正基于半橋拓撲。
RDS(ON)=0.38Ω(typ.)@VGS=10V.
低柵極充電（典型15nC）
耐用性高
快速切換能力
指定雪崩能量
改進的dv/dt能力
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