原廠MOS管 價(jià)格優(yōu)勢(shì) KNX9130A替代FQA40N25 PDF文件下載-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-04-25
KIA半導(dǎo)體MOS管KNX9130A替代FQA40N25，KIA MOS管KNX9130A相比FQA40N25在價(jià)格上有很大優(yōu)勢(shì)。
KIA半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導(dǎo)體從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉儲(chǔ)物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
下文將會(huì)有KNX9130A和FQA40N25兩個(gè)產(chǎn)品的詳細(xì)參數(shù)、封裝以及規(guī)格書。
RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V
專有的新平面技術(shù)
低柵電荷最小開關(guān)損耗
快速恢復(fù)體二極管
型號(hào)：KNX9130A
工作方式：40A/300V
漏源極電壓：250V
柵極到源極電壓：±20V
連續(xù)漏電電流：40A
單脈沖雪崩能量:1250MJ
二極管峰值恢復(fù):5.0V/ns
漏源擊穿電壓:300V
二極管正向電壓:1.5V
輸入電容:3100pF
輸出電容:250pF
反向傳輸電容:80pF
查看詳情，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。
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