PFC電路碳化硅二極管原廠供貨-KIA4953 -5.3A/-30V規格書-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-03-19
這種雙P溝道MOSFET是KIA先進的P溝道工藝的一個堅固的柵極版本。它已針對需要大范圍給定驅動電壓的電源管理應用進行了優化。額定值（4.5 V–20 V）。
-30V/-5.3A,RDS(on)=54mΩ(typ)(Vgs=-10V)
RDS(on)=84mΩ(Vgs=-4.5V)
低壓充放電（6Nctypical）
高功率和電流的能力
快速切換速度
KIA半導體設計生產的碳化硅二極管具有較短的恢復時間、溫度對于開關行為的影響較小、標準工作溫度范圍為-55℃到175℃，大大降低散熱器的需求。碳化硅二極管的主要優勢在于它具有超快的開關速度且無反向恢復電流，與硅器件相比，它能夠大大 降低開關損耗并實現卓越的能效。更快的開關速度同時也能讓制造商減小產品電磁線圈以及相關無源組件的尺寸，從而提高組裝效率，減輕系統重量，并降低物料（BOM）成本。
型號：KIA4953
工作方式：-5.3A/-30V
漏源極電壓：-30V
柵源電壓:±20V
最大漏電流連續：-5.3A
最大脈沖漏電流:-20A
連接和儲存溫度范圍:-55℃至150℃
漏源擊穿電壓：-30V
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